ElectronicsBlog

Схема замещения диода.

Всем доброго времени суток. В прошлой статье я начал рассказывать о полупроводниковых диодах. Были рассмотрена его вольт-амперная характеристика, дифференциальные параметры, зависимость его параметров от температуры. Данные параметры имеют статический характер и в основном применимы к постоянным токам и напряжениям или медленно изменяющимся. Достаточно много типов диодов применяются в высокочастотных цепях, где основную роль играют динамические параметры, которые мы рассмотрим в данной статье.

Всем доброго времени суток. В прошлой статье я рассказывал об электронно-дырочном p-n-переходе, его структуре и принципе работы. Сегодняшняя статья посвящена простейшим приборам – диодам, в основе которых лежит p-n-переход.

Полупроводниковым диодом называется двухэлектродный прибор, созданный на основе p-n-структуры, состоящей из областей p- и n-типа, между которыми создан электронно-дырочный переход. Одна из областей p-n-структуры, называемая анодом, имеет большую концентрацию основных носителей заряда, чем другая область, называемая катодом.

Всем доброго времени суток. В прошлой статье я рассказывал о полупроводниках, их структуре и характере работы. На основе полупроводников создаются разнообразны электронные компоненты: диоды, тиристоры, транзисторы, интегральные микросхемы. В основе их работы лежит электронно-дырочный переход. Наиболее часто применяются переходы, образованные двумя соседними областями полупроводника, первая имеет проводимость p-типа, а вторая – n-типа. Такой электронно-дырочный переход называется p-n-переходом. Кроме него встречаются электронно-дырочные переходы между полупроводником и металлическим контактом – барьер Шоттки. В данной статье я рассмотрю p-n-переход.

Число полупроводников, известных в настоящее время, значительно превосходит количество проводниковых веществ и диэлектриков. Так к ним относятся чистые вещества: кремний (Si), германий (Ge), селен (Se), интерметаллические соединения: антимонид индия (InSb), арсенид галия (GaAs), оксиды меди и цинка (Cu₂O и ZnO), сульфиды кадмия, цинка (CdS, ZnS), карбид кремния (SiC) и другие вещества.

Самый простой конденсатор образуется с помощью двух пластин, между которыми помещён диэлектрик. Но такая конструкция на практике имеет очень плохие параметры, в частности по габаритным размерам. Поэтому современные конденсаторы представляют собой многослойные конструкции или однослойные, но свёрнутые в цилиндр или параллелепипед со скруглёнными рёбрами.

Резистор самая распространённая деталь в электронных конструкциях, порой она занимает до 70% всех электронных компонентов. Официально в справочниках резистором называется элемент электрической цепи, который создает сопротивление проходящему току. Вообще сопротивлением обладает любой радиоэлектронный элемент начиная от электрической лампочки и куска провода, и заканчивая электродвигателями, транзисторами и микросхемами, мало того сопротивление есть абсолютно у всех материалов на земле. Чтобы оценить величину сопротивления ввели специальную единицу измерения Ом или Ω (названную так по имени немецкого учёного Георга Симона Ома).