ElectronicsBlog

Транзисторы германиевые сплавные структуры p-n-p, усилительные с ненормированным (1Т101, 1Т101А, 1Т101Б) и нормированным (1Т102, 1Т102А) коэффициентом шума на частоте 1 кГц. Предназначены для применения в усилителях с гибкими выводами. Тип прибора указывается на боковой поверхности корпуса.

Масса транзистора не более 2 г.

Изготовитель – акционерное общество «Светлана», г. Санкт-Петербург.

Для сборки радиоэлектронного устройства можно преобрески DIY KIT набор по ссылке.

Электрические параметры

Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала h21э в схеме ОЭ при UКБ =5 В, IЭ = 1 мА, f = 1 кГц: При Т = +70 °С h21Э увеличивается не более чем в 2 раза; для 10% транзисторов допускается увеличение этого параметра не более чем в 3 раза по сравнению со значением при +20 °С; при Т = -60 °С h21Э уменьшается не более чем в 3 раза по сравнению со значением при +20 °С.
1Т101	30…40…60
1Т101А	20…30…40
1Т101Б	60…80…120
1Т102, не менее	20
типовое значение	60
1Т102А, не менее	20
типовое значение	70
Предельная частота коэффициента передачи тока fh21Э в схеме ОЭ при UКБ = 20 В, IЭ = 2 мА, не менее
1Т101, 1Т101А	2 МГц
1Т101Б	5 МГц
1Т102, 1Т102А	1 МГц
Предельная шума КШ при UКБ = 5 В, IЭ = 0,5 мА, f = 1 кГц
1Т102, не более	7 дБ
типовое значение	4 дБ
1Т102А, не более	12 дБ
типовое значение	5 дБ
Обратный ток коллектора IКБО, не более:
Т= +25 °С
UКБ = 15 В для 1Т101, 1Т101А, 1Т101Б	15 мкА
UКБ = 5 В для 1Т102, 1Т102А	10 мкА
Т= +70 °С
UКБ = 10 В для 1Т101, 1Т101А, 1Т101Б	300 мкА
UКБ = 5 В для 1Т102, 1Т102А	300 мкА
Обратный ток эмиттера IЭБО, не более при UЭБ = UЭБ. макс, не более:
UЭБ = 15 В для 1Т101, 1Т101А, 1Т101Б	15 мкА
UЭБ = 5 В для 1Т102, 1Т102А	10 мкА
Сопротивление базы rБ при UКБ = 5 В, IЭ = 1 мА, f = 0,5 МГц для 1Т101, 1Т101А, 1Т101Б не более	250 Ом
Выходное полная проводимость в режиме малого сигнала при холостом ходе h22э при UКБ = 5 В, IЭ = 1 мА, f = 1 кГц, не более	2 мкСм
Емкость коллекторного перехода СК при UКБ = 5 В для 1Т101, 1Т101А, 1Т101Б , не более	50 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор-база UКБ МАКС:
при Т= -60…+55 ℃ для 1Т101, 1Т101А, 1Т101Б	15 В
при Т= +55…+70 ℃ для 1Т101, 1Т101А, 1Т101Б	10 В
при Т= -60…+70 ℃ для 1Т102, 1Т102А	5 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер UКЭ МАКС при  RБЭ ≤ 2 кОм:
при Т= -60…+55 ℃ для 1Т101, 1Т101А, 1Т101Б	15 В
при Т= +55…+70 ℃ для 1Т101, 1Т101А, 1Т101Б	10 В
при Т= -60…+70 ℃ для 1Т102, 1Т102А	5 В
Постоянное напряжение эмиттер-база UБЭ МАКС:
при Т= -60…+55 ℃ для 1Т101, 1Т101А, 1Т101Б	15 В
при Т= +55…+70 ℃ для 1Т101, 1Т101А, 1Т101Б	10 В
при Т= -60…+70 ℃ для 1Т102, 1Т102А	5 В
Постоянный ток коллектора IK МАКС (эмиттера):
1Т101, 1Т101А, 1Т101Б	10 мА
1Т102, 1Т102А	6 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора РК. МАКС:
1Т101, 1Т101А, 1Т101Б	50 мВт
1Т102, 1Т102А	30 мВт
Температура p—n перехода ТП	+85 ℃
Температура окружающей среды Т	-60…+70 ℃

 

Расстояние от корпуса до места изгиба вывода транзистора не менее 3 мм.

Пайка выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса транзистора при температуре не более + 295 ℃ в течении не более 3 с.