Транзисторы германиевые сплавные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в переключающих и импульсных устройствах в составе залитых и капсулированных этажерочных микромодулей. Выпускаются в металлостеклянном корпусе на керамической плате (1ТМ115А, 1ТМ115Б, 1ТМ115В, 1ТМ115Г) и с гибкими выводами (1Т115А, 1Т115Б, 1Т115В, 1Т115Г). Тип прибора указывается на корпусе.
Для сборки радиоэлектронного устройства можно преобрески DIY KIT набор по ссылке.
Масса транзистора на керамической плате не более 0,65г, с гибкими выводами не более 0,5 г.
Изготовитель – акционерное общество «Кремний», г. Брянск.
Электрические параметры
| Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала h21э при UКБ = 5 В, IЭ = 2 мА: | |
| Т= +25 °С: | |
| 1ТМ115А, 1ТМ115В, 1Т115А, 1Т115В | 20…60 |
| 1ТМ115Б, 1ТМ115Г, 1Т115Б, 1Т115Г | 50…150 |
| Т= +73 °С: | |
| 1ТМ115А, 1ТМ115В, 1Т115А, 1Т115В | 20…90 |
| 1ТМ115Б, 1ТМ115Г, 1Т115Б, 1Т115Г | 50…225 |
| Т= -60 °С: | |
| 1ТМ115А, 1ТМ115В, 1Т115А, 1Т115В | 15…60 |
| 1ТМ115Б, 1ТМ115Г, 1Т115Б, 1Т115Г | 25…150 |
| Предельная частота коэффициента передачи тока fh21Э в схеме ОЭ при UКБ = 5 В, IЭ = 5 мА, не менее | 1 МГц |
| Постоянная времени цепи обратной связи τК при UКБ = 5 В, IЭ = 1 мА, f = 465 кГц, не более | 6,5 нс |
| Время рассасывания tРАС при UКБ = 5 В, IК = 20 мА | 2,5 мкс |
| Граничное напряжение UГР при IЭ = 10 мА, не менее | |
| 1ТМ115А, 1ТМ115Б, 1Т115А, 1Т115Б | 30 В |
| 1ТМ115В, 1ТМ115Г, 1Т115В, 1Т115Г | 35 В |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер UКЭ НАС при IK = 100 мА, IБ = 20 мА, не более: | |
| 1ТМ115А, 1ТМ115В, 1Т115А, 1Т115В | 200 мВ |
| 1ТМ115Б, 1ТМ115Г, 1Т115Б, 1Т115Г | 150 мВ |
| Напряжение насыщения эмиттер-база UЭБ НАС при IK = 100 мА, IБ = 20 мА, не более: | 1,5 В |
| Плавающее напряжение эмиттер-база UЭБ ПЛ при UКБ = UКБ. макс, не более | 0,3 В |
| Обратный ток коллектора IКБО при UКБ = UКБ. макс, не более: | |
| Т= +25 и -60 °С | 50 мкА |
| Т= +73 °С | 300 мкА |
| Обратный ток эмиттера IЭБО при UЭБ = 50 В, не более: | 50 мкА |
| Емкость коллекторного перехода СК при UКБ = 5 В, f = 465 кГц не более | 50 пФ |
| Емкость эмиттерного перехода СЭ при UЭБ = 0,5 В, f = 465 кГц не более | 20 пФ |
Предельные эксплуатационные данные
| Постоянное напряжение коллектор-база UКБ МАКС | |
| 1ТМ115А, 1ТМ115Б, 1Т115А, 1Т115Б | 50 В |
| 1ТМ115В, 1ТМ115Г, 1Т115В, 1Т115Г | 70 В |
| Постоянное напряжение коллектор-эмиттер UКЭ МАКС при RБЭ ≤ 500 Ом, Т = -60…+35 ℃:
При Т > +35 ℃ UКЭ МАКС снижается линейно до 0,4 своего значения при Т= +73 °С |
|
| 1ТМ115А, 1ТМ115Б, 1Т115А, 1Т115Б | 30 В |
| 1ТМ115В, 1ТМ115Г, 1Т115В, 1Т115Г | 35 В |
| Постоянное напряжение коллектор-эмиттер UКЭ МАКС при RБЭ =0…50 Ом: | |
| 1ТМ115А, 1ТМ115Б, 1Т115А, 1Т115Б | 40 В |
| 1ТМ115В, 1ТМ115Г, 1Т115В, 1Т115Г | 55 В |
| Импульсное напряжение коллектор-эмиттер UКЭ И МАКС | |
| 1ТМ115А, 1ТМ115Б, 1Т115А, 1Т115Б | 50 В |
| 1ТМ115В, 1ТМ115Г, 1Т115В, 1Т115Г | 70 В |
| Постоянное напряжение эмиттер-база UБЭ МАКС: | 50 В |
| Ток коллектора IK И МАКС в режиме переключения при Q = 2, tФ ≤ 10 мкс, f = 50 Гц, КНАС ≤ 3, Т = -60…+55 ℃
При Т > +55 ℃ IK И МАКС снижается линейно до 40 мА при Т= +73 °С |
100 мА |
| Постоянный ток базы в режиме насыщения IБ НАС при КНАС ≥ 3 | 20 мА |
| Постоянная рассеиваемая мощность коллектора РК. МАКС:
При Т > +55 ℃ PK.макс определяется по формуле PK.макс = (85 — Т)/0,6. мВт |
50 мВт |
| Тепловое сопротивление переход-среда RT (П-С) | 0,6 °С/мВт |
| Температура p—n перехода ТП | +85 ℃ |
| Температура окружающей среды Т | -60…+73 ℃ |
Теория это хорошо, но необходимо отрабатывать это всё практически ПОПРОБОВАТЬ МОЖНО ЗДЕСЬ