ElectronicsBlog

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, усилительные. Предназначены для применения в усилительных и импульсных этажерочных микромодулях залитой и капсулированной конструкции. Выпускаются в металлостеклянном корпусе на керамической плате (2ТМ104А, 2ТМ104Б, 2ТМ104В, 2ТМ104Г) и с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.

Масса транзистора на керамической плате не более 0,8г, с гибкими выводами не более 0,5 г.

Для сборки радиоэлектронного устройства можно преобрески DIY KIT набор по ссылке.

Изготовитель – акционерное общество «Кремний», г. Брянск.

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ h21Э при UКБ =1В, IЭ = 10 мА:
Т = +25 ℃:
2ТМ104А, 2Т104А	7…40
2ТМ104Б, 2Т104Б	15…80
2ТМ104В, 2Т104В	19…160
2ТМ104Г, 2Т104Г	10…60
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала h21э при UКБ = 5 В, IЭ = 2 мА:
Т= +25 °С:
2ТМ104А, 2Т104А	9…36
2ТМ104Б, 2Т104Б	20…80
2ТМ104В, 2Т104В	40…160
2ТМ104Г, 2Т104Г	15…60
Т= +125 °С:
2ТМ104А, 2Т104А	9…108
2ТМ104Б, 2Т104Б	20…240
2ТМ104В, 2Т104В	40…380
2ТМ104Г, 2Т104Г	15…180
Т= -60 °С:
2ТМ104А, 2Т104А	7…36
2ТМ104Б, 2Т104Б	13…80
2ТМ104В, 2Т104В	25…160
2ТМ104Г, 2Т104Г	10…60
Граничная частота коэффициента передачи тока fГР в схеме ОЭ при UКБ = 0,5 В, IЭ = 1 мА, не менее	5 МГц
Граничное напряжение UГР, не менее
при IЭ = 5 мА для 2ТМ104А, 2ТМ104Г, 2Т104А, 2Т104Г	30 В
при IЭ = 10 мА для 2ТМ104Б, 2ТМ104В, 2Т104Б, 2Т104В	15 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер UКЭ НАС при IK = 10 мА, не более:
при IБ = 2 мА для 2ТМ104А, 2Т104А	0,5 В
при IЭ = 1 мА для 2ТМ104Б, 2ТМ104В, 2ТМ104Г, 2Т104Б, 2Т104В, 2Т104Г	0,5 В
Напряжение насыщения эмиттер-база UЭБ НАС при IK = 10 мА, не более:
при IБ = 2 мА для 2ТМ104А, 2Т104А	1 В
при IЭ = 1 мА для 2ТМ104Б, 2ТМ104В, 2ТМ104Г, 2Т104Б, 2Т104В, 2Т104Г	1 В
Обратный ток коллектора IКБО при UКБ = UКБ. макс, не более:
Т= +25 и -60 °С	1 мкА
Т= +125 °С	15 мкА
Обратный ток эмиттера IЭБО при UЭБ = UЭБ. макс, не более:
Т= +25 и -60 °С	1 мкА
Т= +125 °С	10 мкА
Емкость коллекторного перехода СК при UКБ = 5 В, f = 3 МГц не более	50 пФ
Емкость эмиттерного перехода СЭ при UЭБ = 0,5 В, f = 10 МГц не более	10 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор-база UКБ МАКС и коллектор-эмиттер UКЭ МАКС при UБЭ = 0,5 В или RБЭ ≤ 10 кОм:
при Т = -60…+75 ℃
для 2ТМ104А, 2ТМ104Г, 2Т104А, 2Т104Г	30 В
для 2ТМ104Б, 2ТМ104В, 2Т104Б, 2Т104В	15 В
при Т = +125 ℃
для 2ТМ104А, 2ТМ104Г, 2Т104А, 2Т104Г	20
для 2ТМ104Б, 2ТМ104В, 2Т104Б, 2Т104В	10
Постоянное напряжение эмиттер-база UБЭ МАКС:
при Т = -60…+75 ℃	10 В
при Т = +125 ℃	5 В
Постоянный ток коллектора IK МАКС:
при Т= -60…+75 ℃	50 мА
при Т= +125 °С	30 мкА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора РК. МАКС: При Т = +60…+125 ℃ PK.макс определяется по формуле PK.макс = (150 — Т)/0,6. мВт
при Т= -60…+60 °С	150 мВт
при Т = +125 °С	41,6 мВт
Тепловое сопротивление переход-среда RT (П-С)	0,6 °С/мВт
Температура p—n перехода ТП	+150 ℃
Температура окружающей среды Т	-60…+125 ℃