ElectronicsBlog

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные двухэмиттерные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в модуляторах. Выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на боковой поверхности корпуса.

Масса транзистора в металлическом корпусе не более 0,5г.

Изготовитель – завод «Пульсар», г. Москва.

Для сборки радиоэлектронного устройства можно преобрески DIY KIT набор по ссылке.

Электрические параметры

Падение напряжения на открытом ключе:
при IБ = 0,5 мА:
Т= +25 °С:
2Т118А, 2Т118Б, КТ118А, КТ118Б	0,2 мВ
2Т118В, КТ118В	0,4 мВ
Т= +125 °С:	0,6 мВ
при IБ = 1,5 мА:
Т= +25 °С:
2Т118А, 2Т118Б, КТ118А, КТ118Б	0,2 мВ
2Т118В, КТ118В	0,15 мВ
Т= +125 °С:	1,2 мВ
Т= -60 °С:	0,18 мВ
Сопротивление открытого ключа:
при IЭ = 2 мА, IБ = 2 мА, Т= +25 °С, не более:
2Т118А, 2Т118Б, КТ118А, КТ118Б	100 Ом
2Т118В, КТ118В	120 Ом
Т= +125 °С:
2Т118А, 2Т118Б, КТ118А, КТ118Б	60 Ом
2Т118В, КТ118В	70 Ом
при IЭ = 20 мА, IБ = 40 мА, Т= +25 °С, не более:
2Т118А, 2Т118Б, КТ118А, КТ118Б	20 Ом
2Т118В, КТ118В	40 Ом
Т= +125 °С:
2Т118А, 2Т118Б, КТ118А, КТ118Б	40 Ом
2Т118В, КТ118В	80 Ом
Т= -60 °С:
2Т118А, 2Т118Б, КТ118А, КТ118Б	50 Ом
2Т118В, КТ118В	80 Ом
Ток закрытого ключа при UЭЭ = 30 В для 2Т118А, КТ118А и UЭЭ = 15 В для 2Т118Б, КТ118Б, 2Т118В, КТ118В не более
Т=:	0,1 мкА
Т= +125 °С:	5 мкА
Т= -60 °С:	0,1 мкА
Напряжение на управляющих переходах при IБ = 20 мА И Т= +25 °С, не более	1 В
Асимметрия сопротивления открытого ключа при IБ = 40 мА, IЭ = 20 мА, Т = +25 °С, не более:	20 %
Обратный ток коллектор-база 1 IКБ2О, коллектор-база 2 IКБ1О при Т = +25 °С, UК = 15 В, не более:	0,1 мкА
Время выключения транзисторной структуры τВЫКЛ при RH =  1 кОм, IБ = 20 мА, UК = 5 В, не более	500 нс

Предельные эксплуатационные данные

Напряжение управления между коллектором и базой транзисторной структуры при RКБ ≤ 10 кОм и Т = -60…+125 °С	15 В
Постоянное напряжение на закрытом ключе между эмиттерам при UУПР = 0 и Т = -60…+125 °С:
2Т118А, КТ118А	31 В
2Т118Б, КТ118Б, 2Т118В, КТ118В	16 В
Постоянный ток коллектора IК МАКС при Т = -60…+125 °С:	50 мА
Постоянный ток каждого эмиттера IЭ МАКС при Т = -60…+125 °С:	25 мА
Постоянный ток каждой базы IБ МАКС при Т = -60…+125 °С:	25 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора РК. МАКС:
при Т= -60…+10 °С	100 мВт
при Т = +125 °С	62,5 мВт
Тепловое сопротивление переход-окружающая среда	0,4 ℃/мВт
Температура окружающей среды Т	-60…+125 ℃

 

Изгиб выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса транзистора. Допускается одноразовый изгиб вывода на расстоянии 3 мм и радиусом не менее 0,5 мм.

Пайка выводов допускается не ближе 3 мм от корпуса транзистора при температуре не выше +250 ℃ в течение времени не более 9с. Пайка производится паяльником мощностью не более 60 Вт и напряжением 6…12 В.