ElectronicsBlog

Обучающие статьи по электронике

Главная / Справочник радиоэлектронных компонентов / Биполярные транзисторы / 2Т215А9, 2Т215Б9, 2Т215В9, 2Т215Г9, 2Т215Д9, 2Т215Е9, 2Т215А-1, 2Т215Б-1, 2Т215В-1, 2Т215Г-1, 2Т215Д-1, 2Т215Е-1, КТ215А-1, КТ215Б-1, КТ215В-1, КТ215Г-1, КТ215Д-1, КТ215Е-1

2Т215А9, 2Т215Б9, 2Т215В9, 2Т215Г9, 2Т215Д9, 2Т215Е9, 2Т215А-1, 2Т215Б-1, 2Т215В-1, 2Т215Г-1, 2Т215Д-1, 2Т215Е-1, КТ215А-1, КТ215Б-1, КТ215В-1, КТ215Г-1, КТ215Д-1, КТ215Е-1

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n. Предназначены для использования в усилителях и переключающих устройствах герметизированной аппаратуры. Транзисторы 2Т215(А9-Е9) выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами, 2T215(A-1-E-1), КТ215(А-1-Е-1) — бескорпусные с гибкими выводами и защитным покрытием. Тип прибора указывается на этикетке и на таре-спутнике.

Для сборки радиоэлектронного устройства можно преобрески DIY KIT набор по ссылке.

Масса транзистора в пластмассовом корпусе не более 0,1 г, бескорпусного не более 0,01 г.

Изготовитель — акционерное общество «Кремний», г. Брянск.

2Т215А9Е9

2Т215А1Е1-КТ215А1Е1

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ h21Э:
Т = +25 °С
UКБ = 5 В, IЭ = 10 мА:
2Т215А9, 2Т215А-1, КТ215А-1 не менее: 20
2Т215Б9, 2Т215Б-1, КТ215Б-1 30…90
2Т215В9, 2Т215Г9, 2Т215В-1, 2Т215Г-1, КТ215В-1, КТ215Г-1 40…120
UКБ = 1 В, IЭ = 40 мА:
2Т215Д9, 2Т215Д-1, КТ215Д-1 80
2Т215Е9, 2Т215Е-1, КТ215Е-1 40
Т = ТМАКС
UКБ = 5 В, IЭ = 10 мА:
2Т215А9, 2Т215А-1, КТ215А-1 не менее: 20
2Т215Б9, 2Т215Б-1, КТ215Б-1 30…150
2Т215В9, 2Т215Г9, 2Т215В-1, 2Т215Г-1, КТ215В-1, КТ215Г-1 40…200
UКБ = 1 В, IЭ = 40 мА:
2Т215Д9, 2Т215Д-1, КТ215Д-1 80
2Т215Е9, 2Т215Е-1, КТ215Е-1 40
Т = ТМИН
UКБ = 5 В, IЭ = 10 мА:
2Т215А9, 2Т215А-1, КТ215А-1 не менее: 7
2Т215Б9, 2Т215Б-1, КТ215Б-1 10…90
2Т215В9, 2Т215Г9, 2Т215В-1, 2Т215Г-1, КТ215В-1, КТ215Г-1 15…120
UКБ = 1 В, IЭ = 40 мА:
2Т215Д9, 2Т215Д-1, КТ215Д-1 25
2Т215Е9, 2Т215Е-1, КТ215Е-1 15
Граничная частота коэффициента передачи тока fГР в схеме ОЭ при UКБ = 5 В, IЭ = 1 мА, не менее: 5 МГц
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τК при UКБ = 5 В, IЭ = 2 мА, не более 5 нс
Коэффициент шума КШ при UКБ = 5 В, IЭ = 0,04 мА, f = 1 кГц, RГ = 10 кОм для 2Т215Д9, 2Т215Д-1, КТ215Д-1, не более: 5 дБ
Граничное напряжение UКОЭ ГР при IК = 10 мА, не менее
2Т215А9, 2Т215А-1, КТ215А-1, 2Т215Б9, 2Т215Б-1, КТ215Б-1 80 В
2Т215В9, 2Т215В-1, КТ215В-1 60 В
2Т215Г9, 2Т215Г-1, КТ215Г-1 40 В
2Т215Д9, 2Т215Д-1, КТ215Д-1 30 В
2Т215Е9, 2Т215Е-1, КТ215Е-1 20 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер UКЭ НАС при IК = 10 мА, IБ = 1 мА, не более
2Т215А-1, 2Т215Б-1, 2Т215В-1, 2Т215Г-1, 2Т215Д-1, 2Т215Е-1 0,45 В
2Т215А9, 2Т215Б9, 2Т215В9, 2Т215Г9, 2Т215Д9, 2Т215Е9, КТ215А-1, КТ215Б-1, КТ215В-1, КТ215Г-1, КТ215Д-1, КТ215Е-1 0,6 В
Напряжение насыщения база-эмиттер UБЭ НАС при IК = 10 мА, IБ = 1 мА, не более 1,2 В
Обратный ток коллектор-эмиттер IКЭО при UКЭ =  UКЭ МАКС, RЭ = 10 кОм, не более
при Т = +25 °С и Т = ТМИН 1 мкА
при Т = ТМАКС 10 мкА
Обратный ток эмиттера IЭБО при UКЭ =  UКЭ МАКС, не более 10 мкА
Выходное сопротивление в схеме ОЭ в режиме малого сигнала при UКЭ = 5 В, IХ = 2 мА 1,2…1,5…10 кОм
Емкость коллекторного перехода СК при UКБ = 10 В, не более 9,5…12…50 пФ
Емкость эмиттерного перехода СЭ при UЭБ = 0,5 В, не более 9,6…40…100 пФ

 

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер UКЭ МАКС при RБЭ = 10 кОм:
2Т215А9, 2Т215А-1, КТ215А-1 100 В
2Т215Б9, 2Т215Б-1, КТ215Б-1 90 В
2Т215В9, 2Т215В-1, КТ215В-1 80 В
2Т215Г9, 2Т215Г-1, КТ215Г-1 60 В
2Т215Д9, 2Т215Д-1, КТ215Д-1, 2Т215Е9, 2Т215Е-1, КТ215Е-1 30 В
Постоянное напряжение эмиттер-база UБЭ МАКС: 5 В
Постоянный ток коллектора IK МАКС: 50 мА
Импульсный ток коллектора IK И МАКС при tИ = 10 мкс, Q = 100: 100 мА
Постоянный ток базы IБ МАКС 20 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора РК. МАКС:

При Т > +25 °С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора уменьшается линейно.

при Т = ТМИН…+25 °С:
2Т215А9, 2Т215Б9, 2Т215В9, 2Т215Г9, 2Т215Д9, 2Т215Е9 200 мВт
2Т215А-1, 2Т215Б-1, 2Т215В-1, 2Т215Г-1, 2Т215Д-1, 2Т215Е-1, КТ215А-1, КТ215Б-1, КТ215В-1, КТ215Г-1, КТ215Д-1, КТ215Е-1 50 мВт
при Т = ТМАКС
2Т215А9, 2Т215Б9, 2Т215В9, 2Т215Г9, 2Т215Д9, 2Т215Е9 800 мВт
2Т215А-1, 2Т215Б-1, 2Т215В-1, 2Т215Г-1, 2Т215Д-1, 2Т215Е-1, КТ215А-1, КТ215Б-1, КТ215В-1, КТ215Г-1, КТ215Д-1, КТ215Е-1 20 мВт
Тепловое сопротивление переход-среда RT (П-С)
2Т215А9, 2Т215Б9, 2Т215В9, 2Т215Г9, 2Т215Д9, 2Т215Е9 0,5 ℃/мВт
2Т215А-1, 2Т215Б-1, 2Т215В-1, 2Т215Г-1, 2Т215Д-1, 2Т215Е-1, КТ215А-1, КТ215Б-1, КТ215В-1, КТ215Г-1, КТ215Д-1, КТ215Е-1 2 ℃/мВт
Температура pn перехода ТП +125 ℃
Температура окружающей среды Т
2Т215А9, 2Т215Б9, 2Т215В9, 2Т215Г9, 2Т215Д9, 2Т215Е9 -60…+85 ℃
2Т215А-1, 2Т215Б-1, 2Т215В-1, 2Т215Г-1, 2Т215Д-1, 2Т215Е-1 -60…+100 ℃
КТ215А-1, КТ215Б-1, КТ215В-1, КТ215Г-1, КТ215Д-1, КТ215Е-1 -45…+85 ℃

 


Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера.


Зависимость статического коэффициента передачи тока от температуры.


Зависимость коэффициента шума от тока эмиттера.


Зависимость коэффициента шума от сопротивления генератора.

Теория это хорошо, но необходимо отрабатывать это всё практически ПОПРОБОВАТЬ МОЖНО ЗДЕСЬ