Транзисторы германиевые сплавные структуры p-n-p. Предназначены для применения в усилителях. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,6 г.
Изготовитель – акционерное общество «Кремний», г. Брянск.
Для сборки радиоэлектронного устройства можно преобрески DIY KIT набор по ссылке.
Электрические параметры
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала h21э при UКБ = 1 В, IЭ = 25 мА, f = 270 Гц: | |
ГТ115А, ГТ115Б | 20…80 |
ГТ115В, ГТ115Г | 60…150 |
ГТ115Д | 125…250 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fГР в схеме ОБ при UКБ = 5 В, IЭ = 5 мА, не более | 1 МГц |
Обратный ток коллектора IКБО, не более: | |
при UКБ = 20 В для ГТ115А, ГТ115В, ГТ115Д | 40 мкА |
при UКБ = 30 В для ГТ115Б, ГТ115Г | 40 мкА |
Обратный ток эмиттера IЭБО при UЭБ = 20 В, не более: | 40 мкА |
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-база UКБ МАКС | |
ГТ115А, ГТ115В, ГТ115Д | 20 В |
ГТ115Б, ГТ115Г | 30 В |
Постоянное напряжение эмиттер-база UБЭ МАКС: | 20 В |
Постоянный ток коллектора IK МАКС: | 30 мА |
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора РК. МАКС: | 50 мВт |
Температура p—n перехода ТП | +70 ℃ |
Температура окружающей среды Т | -20…+45 ℃ |
Теория это хорошо, но необходимо отрабатывать это всё практически ПОПРОБОВАТЬ МОЖНО ЗДЕСЬ