ElectronicsBlog

Обучающие статьи по электронике

Главная / Справочник радиоэлектронных компонентов / Биполярные транзисторы / ГТ115А, ГТ115Б, ГТ115В, ГТ115Г, ГТ115Д

ГТ115А, ГТ115Б, ГТ115В, ГТ115Г, ГТ115Д

Транзисторы германиевые сплавные структуры p-n-p. Предназначены для применения в усилителях. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.

Масса транзистора не более 0,6 г.

Изготовитель – акционерное общество «Кремний», г. Брянск.

ГТ115(А-Д)

Для сборки радиоэлектронного устройства можно преобрески DIY KIT набор по ссылке.

Электрические параметры

Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала h21э при UКБ = 1 В, IЭ = 25 мА, f = 270 Гц:
ГТ115А, ГТ115Б 20…80
ГТ115В, ГТ115Г 60…150
ГТ115Д 125…250
Граничная частота коэффициента передачи тока fГР в схеме ОБ при UКБ = 5 В, IЭ = 5 мА, не более 1 МГц
Обратный ток коллектора IКБО, не более:
при UКБ = 20 В для ГТ115А, ГТ115В, ГТ115Д 40 мкА
при UКБ = 30 В для ГТ115Б, ГТ115Г 40 мкА
Обратный ток эмиттера IЭБО при UЭБ = 20 В, не более: 40 мкА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор-база UКБ МАКС  
ГТ115А, ГТ115В, ГТ115Д 20 В
ГТ115Б, ГТ115Г 30 В
Постоянное напряжение эмиттер-база UБЭ МАКС: 20 В
Постоянный ток коллектора IK МАКС: 30 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора РК. МАКС: 50 мВт
Температура pn перехода ТП +70 ℃
Температура окружающей среды Т -20…+45 ℃

 

Теория это хорошо, но необходимо отрабатывать это всё практически ПОПРОБОВАТЬ МОЖНО ЗДЕСЬ