ElectronicsBlog

Транзисторы германиевые сплавные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в выходных каскадах усилителей низкой частоты.  Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.

Масса транзистора — не более 1 г.

Изготовитель – акционерное общество «Кремний», г. Брянск.

Для сборки радиоэлектронного устройства можно преобрески DIY KIT набор по ссылке.

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ h21Э при UКБ = 1 В, IЭ = 3 мА
Т = +25 ℃
ГТ405А, ГТ405В	30…80
ГТ405Б, ГТ405Г	60…150
Т = +55 ℃
ГТ405А, ГТ405В	30…160
ГТ405Б, ГТ405Г	60…300
Т = -40 ℃
ГТ405А, ГТ405В	15…80
ГТ405Б, ГТ405Г	30…150
Предельная частота коэффициента передачи тока fh21Э при UКБ = 5 В, IЭ = 0,1 А, не менее:	8 кГц
Прямое падение напряжения на переходе эмиттер-база при IБ = 2 мА и отключённом коллекторе, не более	0,35 В
Обратный ток коллектора IКБО при UКБ = 10 В, не более	25 мкА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер UКЭ МАКС эмиттер при RБЭ ≤ 200 Ом:
ГТ405А, ГТ405В	25 В
ГТ405Б, ГТ405Г	40 В
Постоянный ток коллектора IK МАКС	0,5 А
Постоянный ток базы IБ МАКС	0,4 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора РК. МАКС при Т = -40…+25 ℃: При Т = +25…+55 ℃ РК.МАКС определяется по формуле РК.МАКС = (85 — Т)/0,1, мВт	0,6 Вт
Тепловое сопротивление переход-корпус RТ(П-С)	15 ℃/Вт
для 1Т403В, 1Т403Е, ГТ403В, ГТ403Е	12 ℃/Вт
Тепловое сопротивление переход-среда RТ(П-С)	0,1 ℃/Вт
Температура p—n перехода ТП	+85 ℃
Температура окружающей среды Т	-40…+55 ℃

Изгиб и пайка транзистора допускается не ближе 3мм от корпуса с радиусом закругления не менее 1,5 мм, пайка выводов – не ближе 10 мм. Обрезка выводов запрещается.

Зависимость тока эмиттера от напряжения база–эмиттер.

Входные характеристики.

Входные характеристики.

Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора.

Зависимость максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от температуры.

Зависимость обратного тока коллектора от температуры.

Зависимость максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база–эмиттер.