ElectronicsBlog

Обучающие статьи по электронике

Главная / Справочник радиоэлектронных компонентов / Биполярные транзисторы / КТ207А, КТ207Б, КТ207В

КТ207А, КТ207Б, КТ207В

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в качестве усилительного элемента микромодулей и блоков герметизируемой аппаратуры. Бескорпусные с защитным покрытием и контактными площадками для присоединения в электрическую схему. Тип прибора указывается на групповой таре.

Масса транзистора не более 0,001 г.

Для сборки радиоэлектронного устройства можно преобрески DIY KIT набор по ссылке.

Изготовитель – акционерное общество открытого типа «Элекс», г. Александров.

КТ207(А-В)

Электрические параметры

Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала h21э при UКБ = 5 В, IЭ = 1 мА, f = 1 кГц:
КТ207А, не менее 9
КТ207Б 30…150
КТ207В 30…200
Граничная частота коэффициента передачи тока fГР в схеме ОБ при UКБ = 5 В, IЭ = 1 мА, не менее: 5 МГц
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IК = 10 мА, IБ = 1 мА, не более
КТ207А, КТ207Б 1 В
КТ207В 0,5 В
Обратный ток коллектора IКБО при, не более
при UКБ = 60 В для КТ207А 0,05 мкА
при UКБ = 30 В для КТ207Б 0,05 мкА
при UКБ = 15 В для КТ207В 0,05 мкА
Обратный ток эмиттера IЭБО, не более
при UКБ = 30 В для КТ207А 1 мкА
при UКБ = 15 В для КТ207Б 1 мкА
при UКБ = 10 В для КТ207В 1 мкА
Входное сопротивление в схеме ОБ в режиме малого сигнала при UКБ = 5 В,  IЭ = 1 мА, не более 300 Ом
Емкость коллекторного перехода СК при UКБ = 5 В, f = 10 МГц, не более 10 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор-база UКБ МАКС:
КТ207А 60 В
КТ207Б 30 В
КТ207В 15 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер UКЭ МАКС:
КТ207А 60 В
КТ207Б 30 В
КТ207В 15 В
Постоянное напряжение эмиттер-база UБЭ МАКС:
КТ207А 30 В
КТ207Б 15 В
КТ207В 10 В
Постоянный ток коллектора IK МАКС: 10 мА
Импульсный ток коллектора IK И МАКС при tИ ≤ 100 мкс, Q ≥ 5: 50 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора РК. МАКС: 15 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность коллектора РК.И МАКС при tИ ≤ 100 мкс, Q ≥ 5: 50 мВт
Температура pn перехода ТП +100 ℃
Температура окружающей среды Т -45…+85 °С

При монтаже и эксплуатации транзисторов необходимо принимать меры по их защите от статического электричества.

Теория это хорошо, но необходимо отрабатывать это всё практически ПОПРОБОВАТЬ МОЖНО ЗДЕСЬ