ElectronicsBlog

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, усилителях и генераторах. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.

Масса транзистора не более 1 г.

Изготовитель — АООТ Воронежский завод полупроводниковых приборов, г. Воронеж.

Для сборки радиоэлектронного устройства можно преобрески DIY KIT набор по ссылке.

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ h21Э при UКБ = 2 В, IЭ = 20 мА, Q = 10…100, f = 50…1000 Гц:
Т= +25 °С
2Т312А	12…100
КТ312А	10…100
2Т312Б, КТ312Б	25…100
2Т312В	50…250
КТ312В	50…280
Т= -60 °С
2Т312А	8…100
2Т312Б	15…100
2Т312В	25…250
Т= +125 °С
2Т312А	12…200
2Т312Б	25…200
2Т312В	50…500
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ fГР при UКБ = 10 В, IЭ = 5 мА, не менее
2Т312А, КТ312А	80 МГц
2Т312Б, 2Т312В, КТ312Б, КТ312В	120 МГц
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте при UКБ = 10 В, IЭ = 5 мА, f = 2 МГц, не более	500 пс
Время рассасывания при IБ = 2 мА, IК = 10 мА, не более
2Т312А, КТ312А	100 нс
2Т312Б, 2Т312В, КТ312Б, КТ312Б	130 нс
Граничное напряжение при IЭ = 7,5 мА, не менее
2Т312А, 2Т312Б, 2Т312В	30 В
КТ312А, КТ312В	20 В
КТ312Б	35 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер UКЭ НАС при IБ = 2 мА IК = 20 мА, не более
2Т312А, 2Т312Б	0,5 В
2Т312В	0,35 В
КТ312А, КТ312Б, КТ312В	0,8 В
Напряжение насыщения база-эмиттер UКЭ НАС при IБ = 2 мА IК = 20 мА, не более	1,1 В
Напряжение между базой и эмиттером в прямом направлении при IЭ = 0,2 мА для 2Т312А, 2Т312Б, 2Т312В, не менее	0,55 В
Обратный ток коллектора IКБО, не более
при Т= +25 °С, UКБ = 30 В для 2Т312А, 2Т312Б, 2Т312В	1 мкА
UКБ = 20 В для КТ312А, КТ312В	10 мкА
UКБ = 35 В для КТ312Б	10 мкА
при Т= -60 °С, UКБ = 30 В для 2Т312А, 2Т312Б, 2Т312В	1 мкА
при Т= +125 °С, UКБ = 30 В для 2Т312А, 2Т312Б, 2Т312В	10 мкА
Обратный ток эмиттера IЭБО при UЭБ = 4 В, не более	10 мкА
Емкость коллекторного перехода СК при UКБ = 10 В, не более	5 пФ
Емкость эмиттерного перехода СЭ UЭБ = 1 В, не более	20 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор-база UКБ МАКС:
2Т312А, 2Т312Б, 2Т312В	30 В
КТ312А, КТ312В	20 В
КТ312Б	35 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер UКЭ МАКС при RБЭ ≤ 100 Ом:
2Т312А, 2Т312Б, 2Т312В	30 В
КТ312А, КТ312В	20 В
КТ312Б	35 В
Постоянное напряжение эмиттер-база UЭБ МАКС:	4 В
Постоянный ток коллектора IK МАКС:	30 мА
Импульсный ток коллектора при tИ ≤ 1 мкс, Q ≥ 10	60 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора РК. МАКС: При давлении 6,7 ГПа (5 мм рт. ст.) мощность коллектора транзистора 2Т312А, 2Т312Б, 2Т312В равна 75 мВт.
при Т ≤ +25 ℃ для КТ312А, КТ312Б, КТ312В и Т ≤ +60 ℃ для 2Т312А, 2Т312Б, 2Т312В	225 мВт
при Т= +85 °С для КТ312А, КТ312Б, КТ312В	75 мВт
при Т = +125 °С для 2Т312А, 2Т312Б, 2Т312В	62,5 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность коллектора РК. И МАКС при tИ ≤ 1 мкс, Q ≥ 10:
при Т ≤ +60 ℃	450 мВт
при Т = +125 °С для 2Т312А, 2Т312Б, 2Т312В	287,5 мВт
Температура p—n перехода ТП
КТ312А, КТ312Б, КТ312В	+115 ℃
2Т312А, 2Т312Б, 2Т312В	+150 ℃
Тепловое сопротивление переход-среда RT(П-С)	0,4 ℃/мВт
Температура окружающей среды Т
КТ312А, КТ312Б, КТ312В	-40…+85 ℃
2Т312А, 2Т312Б, 2Т312В	-60…+125 ℃

 

Расстояние от корпуса транзистора до места пайки не менее 5 мм, температура пайки + 260 ℃, время пайки не более 5 с.

Зависимости статического коэффициента передачи тока от тока коллектора.

Зависимости статического коэффициента передачи тока от температуры.

Зона возможных положений зависимости обратного тока коллектора от температуры.

Зависимость ёмкости коллекторного перехода от напряжения.

Зависимость напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер.