Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в переключающих и импульсных устройствах герметизированной аппаратуры. Бескорпусные с твёрдыми выводами без кристаллодержателя. Тип прибора указывается на групповой таре. Транзисторы помещаются в специальную герметичную тару с влагопоглатителейм, обеспечивающим относительную влажность внутри тары не более 65%, а затем укладывают в групповую тару.
Для сборки радиоэлектронного устройства можно преобрески DIY KIT набор по ссылке.
Масса транзистора не более 0,0005 г.
Изготовитель – акционерное общество «Светлана», г. Санкт-Петербург.
Электрические параметры
| Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ h21Э при UКЭ = 1 В, IК = 10 мА: | |
| Т = +25 ℃ | |
| 2Т336А, 2Т336Г, КТ336А, КТ336Г | 20…60 |
| 2Т336Б, 2Т336Д, КТ336Б, КТ336Д | 40…120 |
| 2Т336В, 2Т336Е, КТ336В, КТ336Е, не менее | 80 |
| Т = +85 ℃ | |
| 2Т336А, 2Т336Г, КТ336А, КТ336Г | 20…120 |
| 2Т336Б, 2Т336Д, КТ336Б, КТ336Д | 40…240 |
| 2Т336В, 2Т336Е, КТ336В, КТ336Е, не менее | 80 |
| Т = -55 ℃ | |
| КТ336А, КТ336Г | 8…60 |
| КТ336Б, КТ336Д | 16…120 |
| КТ336В, КТ336Е, не менее | 32 |
| Т = -60 ℃ | |
| 2Т336А, 2Т336Г | 8…60 |
| 2Т336Б, 2Т336Д | 16…120 |
| 2Т336В, 2Т336Е, не менее | 32 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ fГР при UКЭ = 2 В, IК = 5 мА, не менее | |
| 2Т336А, 2Т336Б, 2Т336В, КТ336А, КТ336Б, КТ336В | 250 МГц |
| 2Т336Г, 2Т336Д, 2Т336Е, КТ336Г, КТ336Д, КТ336Е | 450 МГц |
| Время рассасывания при IК = 10 мА, IБ = 1 мА, не более | |
| 2Т336А, 2Т336Б, КТ336А, КТ336Б | 30 нс |
| 2Т336В, КТ336В | 50 нс |
| 2Т336Г, 2Т336Д, 2Т336Е, КТ336Г, КТ336Д, КТ336Е | 15 нс |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер UКЭ НАС при IБ = 1 мА IК = 10 мА, не более | 0,3 В |
| Напряжение насыщения база-эмиттер UКЭ НАС при IБ = 1 мА IК = 10 мА, не более | 0,9 В |
| Напряжение отпирания при UКЭ = 1 В, IЭ = 0,05 мА, не более | 0,55 В |
| Обратный ток коллектора IКБО при UКБ = 10 В, не более | 1 мкА |
| Т = +25 ℃ и Т = ТМИН | 0,5 мкА |
| Т = +85 ℃ | 10 мкА |
| Обратный ток эмиттера IЭБО при UЭБ = 4 В, не более | 1 мкА |
| Емкость коллекторного перехода СК при UКБ = 5 В, не более | 5 пФ |
| Емкость эмиттерного перехода при UБЭ = 0, не более | 4 пФ |
Предельные эксплуатационные данные
| Постоянное напряжение коллектор-эмиттер UКЭ МАКС при RБЭ ≤ 3 кОм и коллектор-база | 10 В |
| Постоянное напряжение база-эмиттер UЭБ МАКС: | 4 В |
| Постоянный ток коллектора IK МАКС: | 20 мА |
| Импульсный ток коллектора IК И. МАКС при tИ ≤ 10 мкс, Q ≥ 10, tФ ≥ 100 нс | 50 мА |
| Постоянная рассеиваемая мощность коллектора РК. МАКС | |
| при Т = -60…+55 ℃ для 2Т336А – 2Т336Е и Т = -55…+85 ℃ для КТ336А – КТ336Е | 50 мВт |
| при Т = +85 ℃ для 2Т336А – 2Т336Е | 20 мВт |
| Температура p—n перехода ТП | + 105 ℃ |
| Тепловое сопротивление переход-среда RT(П-С) | 1 ℃/мВт |
| Температура окружающей среды Т | |
| 2Т336А – 2Т336Е | -60…+85 ℃ |
Монтаж транзисторов следует производить в инертной среде в течении не более 1 с при давлении на транзистор не более 50 г; при этом температура кристалла не должна превышать +250 ℃.
Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора.
Зависимость статического коэффициента передачи тока от температуры.
Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер от температуры.
Зависимость напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер.
Зависимость отпирающего напряжения база-эмиттер от температуры.
Теория это хорошо, но необходимо отрабатывать это всё практически ПОПРОБОВАТЬ МОЖНО ЗДЕСЬ