ElectronicsBlog

Обучающие статьи по электронике

Главная / Справочник радиоэлектронных компонентов / Биполярные транзисторы / КТ342А, КТ342Б, КТ342В, КТ342Г, КТ342АМ, КТ342БМ, КТ342ВМ, КТ342ГМ, КТ342ДМ

КТ342А, КТ342Б, КТ342В, КТ342Г, КТ342АМ, КТ342БМ, КТ342ВМ, КТ342ГМ, КТ342ДМ

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные. Предназначены для применения в импульсных. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами (КТ342А, КТ342Б, КТ342В, КТ342Г) и пластмассовом корпусе с гибкими выводами (КТ342АМ, КТ342БМ, КТ342ВМ, КТ342ГМ, КТ342ДМ). Тип приборов КТ342А-КТ342Г указывается на корпусе.

Для транзисторов в пластмассовом корпусе используется условная маркировка:

Для сборки радиоэлектронного устройства можно преобрески DIY KIT набор по ссылке.

КТ342АМ — прямоугольный треугольник и буква «А»;

КТ342БМ — треугольник и буква «Б»;

КТ342ВМ — треугольник и буква «В»;

КТ342ГМ — треугольник и буква «Г»;

КТ342ДМ — треугольник и буква «Д».

Допускается также маркировка цветным кодом:

КТ342АМ — синяя метка на плоской части боковой поверхности корпуса и темно-красная на торце;

КТ342БМ — синяя и желтая метки;

КТ342ВМ — синяя и темно-зеленая метки.

Масса транзистора не более 0,5 г в металлостеклянном корпусе и не более 0,3 г в пластмассовом корпусе.

Изготовитель —  акционерное общество открытого типа «Элекс», г. Александров.

КТ342

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ h21Э при UКЭ = 5 В, IЭ = 1 мА для КТ342А, КТ342Б, КТ342В, КТ342Г и IЭ = 2 мА для КТ342АМ, КТ342БМ, КТ342ВМ, КТ342ГМ, КТ342ДМ:
Т = +25 ℃
КТ342А, КТ342АМ, КТ342ГМ 100…250
КТ342Б, КТ342БМ, КТ342ДМ 200…500
КТ342В, КТ342ВМ 400…1000
КТ342Г 50…125
Т = -60 ℃
КТ342А, КТ342АМ, КТ342ГМ 25…250
КТ342Б, КТ342БМ, КТ342ДМ 50…500
КТ342В, КТ342ВМ 100…1000
Т = +125 ℃
КТ342А, КТ342АМ, КТ342ГМ 100
КТ342Б, КТ342БМ, КТ342ДМ 200
КТ342В, КТ342ВМ 400
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ fГР при UКБ = 10 В, IЭ = 5 мА, не менее
КТ342А, КТ342АМ 250 МГц
КТ342Б, КТ342В, КТ342Г, КТ342БМ, КТ342ВМ 300 МГц
КТ342ГМ, КТ342ДМ 150 МГц
Граничное напряжение при IЭ = 5 мА, не менее

В диапазоне температур +100…+125 ℃ значение граничного напряжения снижается линейно.

Т ≤ +100 ℃:
КТ342А, КТ342Г, КТ342АМ, КТ342ГМ 25 В
КТ342Б, КТ342БМ, КТ342ДМ 20 В
КТ342В, КТ342ВМ 10 В
Т = +125 ℃:
КТ342А, КТ342Г, КТ342АМ, КТ342ГМ 20 В
КТ342Б, КТ342БМ, КТ342ДМ 15 В
КТ342В, КТ342ВМ 10 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер UКЭ НАС при IК = 10 мА, IБ = 1 мА, не более 0,1 В
Напряжение насыщения база-эмиттер UКЭ НАС при IК = 10 мА, IБ = 1 мА, не более 0,9 В
Обратный ток коллектора IКБО при UКБ = UКБ МАКС, не более 1 мкА
Т = +25 ℃ 0,05 мкА
Т = +125 ℃ для КТ342А, КТ342Б, КТ342В, КТ342Г 10 мкА
Обратный ток коллектор-эмиттер IКЭО при UКЭ = UКЭ МАКС, RБЭ = 10 кОм, не более:
КТ342А, КТ342Б, КТ342В 30 мкА
КТ342Г 100 мкА
Обратный ток эмиттера IЭБО при UЭБ = 5 В, не более 30 мкА
Емкость коллекторного перехода СК при UКБ = 5 В, не более 8 пФ

 

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер UКЭ МАКС при RБЭ = 10 кОм

В диапазоне температур +100…+125 ℃ значение максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер снижается линейно.

Т ≤ +100 ℃:
КТ342А, КТ342АМ, КТ342ГМ 30 В
КТ342Б, КТ342БМ, КТ342ДМ 25 В
КТ342В, КТ342ВМ 10 В
КТ342Г 60
Т = +125 ℃:
КТ342А, КТ342АМ, КТ342ГМ 25 В
КТ342Б, КТ342БМ, КТ342ДМ 20 В
КТ342В, КТ342ВМ 10 В
КТ342Г 45 В
Постоянное напряжение база-эмиттер UЭБ МАКС: 5 В
Постоянный ток коллектора IK МАКС: 50 мА
Импульсный ток коллектора IК И. МАКС при tИ ≤ 40 мкс, Q ≥ 500 300 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора РК. МАКС

В диапазоне температур +25…+125 ℃ допустимое значение рассеиваемой мощности снижается линейно.

при Т ≤ +25 ℃ 250 мВт
при Т = +125 ℃ 50 мВт
Температура pn перехода ТП + 150 ℃
Температура окружающей среды Т -60…+125 ℃

 


Зона возможных положений зависимости статического коэффициента передачи тока от температуры.


Зона возможных положений зависимости статического коэффициента передачи тока от температуры.


Зона возможных положений зависимости коэффициента передачи тока от температуры.


Зона возможных положений зависимости граничной частоты от тока эмиттера.

Теория это хорошо, но необходимо отрабатывать это всё практически ПОПРОБОВАТЬ МОЖНО ЗДЕСЬ