Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях и генераторах. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип приборов указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,2 г.
Изготовитель — АООТ Воронежский завод полупроводниковых приборов, г. Воронеж.
Для сборки радиоэлектронного устройства можно преобрески DIY KIT набор по ссылке.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ h21Э при UКЭ = 5,5 В, IЭ = 20 мА: | |
Т = +25 ℃ | |
КТ358А | 10…100 |
КТ358Б | 25…100 |
КТ358В | 50…280 |
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ fГР при UКБ = 10 В, IЭ = 5 мА, не менее | |
КТ358А | 80 МГц |
КТ358Б, КТ358В | 120 МГц |
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, не более | 500 нс |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер UКЭ НАС при IК = 20 мА, IБ = 2 мА, не более | 0,8 В |
Напряжение насыщения база-эмиттер UКЭ НАС при IК = 20 мА, IБ = 2 мА, не более | 1,1 В |
Обратный ток коллектора IКБО при UКЭ = 15 В для КТ358А, КТ358В и UКЭ = 30 В для КТ358Б, не более: | 10 мкА |
Обратный ток эмиттера IЭБО при UЭБ = 4 В, не более | 10 мкА |
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-база UКБ МАКС | |
КТ358А, КТ358В | 15 В |
КТ358Б | 30 В |
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер UКЭ МАКС при RБЭ ≤ 100 Ом | |
КТ358А, КТ358В | 15 В |
КТ358Б | 30 В |
Постоянное напряжение база-эмиттер UЭБ МАКС: | 4 В |
Постоянный ток коллектора IK МАКС: | 30 мА |
Импульсный ток коллектора IК И. МАКС: | 60 мА |
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора РК. МАКС | 100 мВт |
Импульсная рассеиваемая мощность коллектора РК. МАКС при tИ ≤ 1 мкс | 200 мВт |
Тепловое сопротивление переход-среда RТ(П-С) | 0,7 ℃/мВт |
Температура p—n перехода ТП | + 120 ℃ |
Температура окружающей среды Т | -40…+85 ℃ |
Пайка выводов транзисторов допускается не ближе 5 мм от корпуса, время пайки не более 10 с, температура пайки не должна превышать +250 ℃.
Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера.
Зависимость максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер.
Теория это хорошо, но необходимо отрабатывать это всё практически ПОПРОБОВАТЬ МОЖНО ЗДЕСЬ