2Д202В, 2Д202Д, 2Д202Ж, 2Д202К, 2Д202М, 2Д202Р, КД202А, КД202В, КД202Д, КД202Ж, КД202К, КД202М, КД202Р
Диоды кремниевые, диффузионные. Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 5 кГц. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жёсткими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 5,2 г, с комплектующими деталями не более 7 г.
Для сборки радиоэлектронного устройства можно преобрески DIY KIT набор по ссылке.
Электрические параметры
Среднее прямое напряжение Uпр при f = 50 Гц, не более:
при Iпр.ср = 3 А для 2Д202В, 2Д202Д, 2Д202Ж, 2Д202К, 2Д202М, 2Д202Р при Iпр.ср = Iпр.ср.макс для КД202А, КД202В, КД202Д, КД202Ж, КД202К, КД202М, КД202Р |
1 В
0,9 в |
Средний обратный ток Iобр при Uобр= Uобр.макс и f = 50 Гц, не более:
2Д202В, 2Д202Д, 2Д202Ж, 2Д202К, 2Д202М, 2Д202Р КД202А, КД202В, КД202Д, КД202Ж, КД202К, КД202М, КД202Р |
1 мА 0,8 мА |
Предельные эксплуатационные параметры
Постоянное обратное напряжение | 0,7 Uобр.и.макс |
Импульсное обратное напряжение Uобр.и
КД202А 2Д202В, КД202В 2Д202Д, КД202Д 2Д202Ж, КД202Ж, 2Д202К, КД202К 2Д202М, КД202М, 2Д202Р, КД202Р |
50 В 100 В 200 В 300 В 400 В 500 В 600 В |
Постоянный (средний) прямой ток Iпр.ср:
при Т = -60°С… Тк = +75 °С при Т = +130°С |
5 А 3 А |
Перегрузка по среднему прямому току при f = 50 Гц:
в течении 1,5 с для КД202А, КД202В, КД202Д, КД202Ж, КД202К, КД202М, КД202Р |
9 А |
Импульсный прямой ток Iпр.и при f = 50 Гц для 2Д202В, 2Д202Д, 2Д202Ж, 2Д202К, 2Д202М, 2Д202Р
при tи ≤ 10 мс в течении 1,5 с |
30 А 9 А |
Частота без снижения электрических режимов fгр | 1,2 кГц |
Частота со снижением среднего прямого тока | 5 кГц |
Рассеиваемая мощность при Т = +25 °С для КД202А, КД202В, КД202Д, КД202Ж, КД202К, КД202М, КД202Р | 6 Вт |
Тепловое сопротивление переход – корпус для КД202А, КД202В, КД202Д, КД202Ж, КД202К, КД202М, КД202Р | 3,5 °С/Вт |
Температура перехода | +150 °С |
Температура окружающей среды: | -60…+130 °С |
При монтаже на теплоотвод или шасси диод должен удерживаться ключом за шестигранное основание, усилие затяжки не должно превышать 1,47 Н•м (0,15 кгс•м). Запрещается прилагать к изолированному выводу усилие, превышающее 0,98 Н (0,1 кгс), что может привести к нарушению целостности стеклянного изолятора.
Зона возможных положений зависимости прямого тока от напряжения.
Зона возможных положений зависимости прямого тока от напряжения.
Зависимость допустимого прямого тока от температуры корпуса.
Зона возможных положений прямого тока от напряжения.
Зависимости допустимого прямого тока от температуры S – площадь теплоотвода.
Зависимость допустимого прямого тока от температуры S – площадь теплоотвода.
Зависимость допустимого прямого тока от частоты.
Зависимость допустимой перегрузки по импульсному току от длительности импульса.
Теория это хорошо, но необходимо отрабатывать это всё практически ПОПРОБОВАТЬ МОЖНО ЗДЕСЬ