2Д216А, 2Д216Б
Диоды кремниевые, диффузионные. Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 100 кГц. Выпускается в металлостеклянном корпусе с жёсткими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 3 г.
Для сборки радиоэлектронного устройства можно преобрески DIY KIT набор по ссылке.
Электрические параметры
|
Постоянное прямое напряжение Uпр, не более: при Т = +25℃ и Iпр = 1 А Iпр = 10 А при Т = -60℃ и Iпр = 1 А Iпр = 10 А |
1 В 1,4 В 1,2 В 1,6 В |
| Постоянный обратный ток Iобр при Uобр = Uобр.макс и Т =-60…+25℃ не более: | 50 мкА |
|
Средний обратный ток в режиме однополупериодного выпрямления при Uобр = Uобр.и.макс, f = 50 Гц, не более: Т = +85℃ и Iпр.ср = 10 А Т = +175℃ и Iпр.ср = 0 |
2 мА 10 мА |
| Заряд переключения при Uобр.и = 10 В и Iпр.и = 0,2 А не более | 80 нКл |
Предельные эксплуатационные параметры
|
Постоянное (импульсное) обратное напряжение Uобр: 2Д216А 2Д216Б |
100 В 200 В |
|
Постоянный (средний) прямой ток Iпр.ср: Т = -60…+85℃ Т = +175℃ |
10 А 0 |
| Частота без снижения электрических режимов fгр: | 100 кГц |
| Температура окружающей среды: | -60…+175 °С |
В диапазоне температур окружающей среды +85…+175 °С прямой ток снижается линейно.
Зависимости прямого тока от температуры.
Зависимость обратного тока от напряжения.
Допускается использование диодов при максимально допустимом импульсном напряжении:
— с частотой до 50 кГц при tф ≥ 0,3 мкс и Iпр.ср < Iпр.ср.макс, но не более 3 А;
— с частотой до 30 кГц при tф ≥ 0,1 мкс и Iпр.ср < Iпр.ср.макс, но не более 1 А.
Зависимости допустимого прямого тока от температуры корпуса.
Теория это хорошо, но необходимо отрабатывать это всё практически ПОПРОБОВАТЬ МОЖНО ЗДЕСЬ