ElectronicsBlog

Диоды кремниевые, планарно-диффузионные, с барьером Шотки. Предназначены для преобразования переменного на­пряжения частотой до 4000 кГц. Выпускаются в стеклянном корпусе. Маркируются цветным (белым — 2Д235А, красным — 2Д235Б) кольцом со стороны отрицательного вывода (катода).

Масса диода 0,3 г.

Для сборки радиоэлектронного устройства можно преобрески DIY KIT набор по ссылке.

Электрические параметры

Постоянное прямое напряжение UПР
при IПР = 3 А
Т = +25 °С	0,63*…0,75*…0,9 В
Т = -60 °С, не более	0,95 В
при IПР =1 А, Т = +85 °С не более	0,7 В
Постоянный обратный IОБР ток при UОБР = 40 В для 2Д235А, UОБР = 30 В для 2Д235Б, не более:
Т = -60 и +25 °С	0,8 мА
Т= +85 °С:	10 мА
Общая емкость диода* при UОБР = 0, f = 1 МГц	120…170…220 пФ

 

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное (импульсное) обратное напряжение UОБР (UОБР.И)
2Д235А	40 В
2Д235Б	30 В
Импульсный прямой ток IПР.И при tИ ≤1 мс, Q ≥ 3: В диапазоне температур окружающей среды +35… +85 °С прямой ток снижается линейно.
Т = -60…+35 °С	3 А
Т = +85 °С	1 А
Средняя рассеиваемая мощность РСР.РАС без превы­шения IПР.СР.МАКС: В диапазоне температур окружающей среды +35…+85 °С средняя рассеи­ваемая мощность снижается линейно.
при T = -60…TК = +35 ⁰С	1 Вт
при TК = +85 ⁰С	0,25 Вт
Импульсный неповторяющийся прямой ток IПР.И.НЕПОВТ при преобразовании синусоидального напряжения tи ≤ 10 мс	30 А
Тепловое сопротивление переход-окружаю­щая среда RТ(П-С)	112…122…145 °С/Вт
Температура перехода (кристалла) ТП	+125 °C
Температура окружающей среды Т	-60…+85 ⁰С

 

Зависимости прямого тока от напряжения.

Зависимость общей емкости диода от напряжения.

Зависимости максимального импульс­ного прямого тока от скважности и длительности импульса.

Зависимость среднего пря­мого тока от частоты.

Зависимость максимального постоянного (среднего) прямого тока от температуры.

Зависимость максимального импульсного прямого тока от температуры.