Диоды кремниевые, планарно-эпитаксиальные, с барьером Шотки. Предназначены для применения в импульсных и преобразующих устройствах в качестве быстродействующего элемента. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 2,5 г.
Для сборки радиоэлектронного устройства можно преобрески DIY KIT набор по ссылке.
Электрические параметры
| Постоянное прямое напряжение UПР: | |
| при Т= +25 ⁰С, IПР = 3 А | 0,34*..0,42*…0,475 В |
| при Т = +85 ⁰С, IПР = 1 А, не более | 0,4 В |
| при Т = -60 ⁰С, /пр = 3 А, не более | 0,7 В |
| Постоянный обратный IОБР ток при UОБР = UОБР.МАКС, не более: | |
| Т= +25°С | |
| 2Д249А | 0,1…0,4…3 мА |
| 2Д249Б | 0,07…0,5…3 мА |
| 2Д249В | 0,04…0,4…3 мА |
| Т = -60 °С | 3 мА |
| Т= +85°С | 30 мА |
| Общая емкость при UОБР = 1 В, f = 1 МГц | 440…500…750 пФ |
Предельные эксплуатационные данные
| Постоянное (импульсное) обратное напряжение UОБР (UОБР.И) | |
| 2Д249А | 40 В |
| 2Д249Б | 30 В |
| 2Д249В | 20 В |
| Постоянный (средний) прямой ток IПР (IПР.СР): | |
| при Р > 0,5 мм рт. ст., тепловом сопротивлении переход-среда не более 30 ⁰С/Вт:
В диапазоне температур среды (корпуса) +35 … +85 ⁰С прямой ток снижается линейно. |
|
| Т=-60…+35 °C | 3 А |
| ТК = +85 °C | 1 А |
| при Р = 0,5 мм рт. ст. | |
| Т=-60…+35 °C | 1 А |
| ТК = +85 °C | 0,33 А |
| Повторяющийся импульсный прямой ток при tИ ≤ 1 мс, Q ≥ 3, тепловом сопротивлении переход-среда не более 30 °С/Вт:
В диапазоне температур среды (корпуса) +35…+85 ⁰С прямой ток снижаются линейно. Зависимость максимально допустимого повторяющегося импульсного прямого тока от длительности импульсов и скважности приведена на рисунке. |
|
| Т=-60…+35 °C | 10 А |
| ТК = +855 °C | 3 А |
| Неповторяющийся импульсный прямой ток при tИ ≤10 мс (по основанию синусоида), Т=-60…+35 °C | 80 А |
| Средняя рассеиваемая мощность РСР при тепловом сопротивлении переход-среда не более 30 °С/Вт:
В диапазоне температур среды (корпуса) +35…+85 ⁰С мощность снижаются линейно. |
|
| Т = -60…+35 °С | 2,5 Вт |
| ТК = +85 °С | 0,8 Вт |
| Температура р-п перехода (кристалла) ТP—N | +125 °C |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 30 °C/Вт |
| Температура окружающей среды Т | -60…+85 ⁰С |
Диоды пригодны для монтажа в аппаратуре любым способом, гарантирующим отсутствие механических нарушений и исключающим нагрев корпуса диода в любой точке более + 125 ⁰С при прохождении импульса тока через диод.
Расстояние от корпуса до начала изгиба вывода не менее 3 мм. Температура пайки выводов не более +265 ⁰С, время пайки не более 4 с.
При расчете тепловых режимов следует учитывать, что тепловое сопротивление переход-вывод составляет 25 °С/Вт плюс 1 °С/Вт на каждый 1 мм длины вывода. Температура вывода на расстоянии 5 мм от корпуса диода со стороны катода не должна превышать +90 ⁰С.
Зависимость емкости диода от постоянного обратного напряжении.
Зависимости прямого тока от напряжения
Зависимость импульсного прямого тока от прямого напряжения
Зависимости максимально допустимого импульсного прямого тока от длительности и скважности импульсов
Теория это хорошо, но необходимо отрабатывать это всё практически ПОПРОБОВАТЬ МОЖНО ЗДЕСЬ