Диоды кремниевые, эпитаксиально-диффузионные. Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 100 МГц в аппаратуре с общей герметизацией. Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 1,5 г.
Для сборки радиоэлектронного устройства можно преобрески DIY KIT набор по ссылке.
Электрические параметры
| Постоянное прямое напряжение UПР: | |
| при IПР = 3 А для 2Д25ЗД, 2Д253В, 2Д25ЗД | |
| Т = +25 ⁰С | 1,15*…1,25*…1,5 В |
| Т= -60 ⁰С, не более | 2,2 В |
| при IПР = 1,6 А, ТК = +125 ⁰С для 2Д25ЗА,2Д253В, 2Д25ЗД, не более | 1 В |
| при IПР = 1 А для 2Д25ЗБ, 2Д25ЗГ, 2Д253Е: | |
| Т = +25 ⁰С | 1,1*…1,15*…1,5 В |
| Т = -60 ⁰С, не более | 2,2 В |
| Т = + 125 ⁰С, не более | 1 В |
| Время обратного восстановления tОБР.ВОСТ при UОБР.И = 20 В, IПР.И = 1 А, IОТСЧ = 0,5 А, RН = 20 Ом | 120*… 140*…220 нс |
| Постоянный обратный IОБР ток при
UОБР = 800 В для 2Д25ЗА, 2Д25ЗБ, UОБР = 600 В для 2Д253В, 2Д25ЗГ, UОБР = 400 В для 2Д25ЗД, 2Д25ЗЕ, не более: |
|
| Т = -60 и +25 °С | 0,02 мА |
| Т= +125 °С | 1 мА |
Предельные эксплуатационные данные
| Постоянное (импульсное повторяющееся) обратное напряжение UОБР (UОБР.И) | |
| 2Д253А, 2Д253Б | 800 В |
| 2Д253В, 2Д253Г | 600 В |
| 2Д253Д, 2Д253Е | 400 В |
| Импульсное неповторяющееся (tИ ≤ 10 мс, Q ≥ 1000) обратное напряжение UОБР.И.НЕПОВТОР: | |
| 2Д253А, 2Д253Б | 850 В |
| 2Д253В, 2Д253Г | 650 В |
| 2Д253Д, 2Д253Е | 450 В |
| Постоянный (средний) прямой ток IПР.(IПР.СР) при RТ(П-К) ≤ 5 °C/Вт:
В диапазоне температур корпуса +90… + 125 ⁰С прямой ток снижаются линейно. |
|
| 2Д253А, 2Д253В, 2Д253Д: | |
| Т= -60… ТК = +90 °С | 3 А |
| ТК = +125 °С | 1,6 А |
| Т = -60… ТК = + 125 °С для 2Д25ЗБ, 2Д253Г, 2Д253Е | 1 А |
| Импульсный повторяющийся прямой ток IПР.ПОВТ синусоидальной формы при tИ ≤ 10 мс, Q = 2 | 3,2 IПР.СР.МАКС |
| Ток перегрузки синусоидальной формы при tИ ≤ 10 мс, Q ≥ 1000 | 20IПР.СР.МАКС |
| Средняя рассеиваемая мощность РСР. при RТ(П-К) ≤ 5 °C/Вт:
В диапазоне температур корпуса +90… + 125 ⁰С средняя мощность снижаются линейно. |
|
| Т = -60… ТК = +90 °С | 7 Вт |
| ТК= +125 °С | 2,5 Вт |
| Температура перехода | +155 °С |
| Температура окружающей среды Т | -60…ТК = +125 ⁰С |
При монтаже диодов в аппаратуре расстояние от корпуса до начала изгиба вывода не менее 3 мм, радиус изгиба не менее 1,5 мм. Расстояние от корпуса до места пайки 3 мм, температура припоя не более +265 ⁰С, время пайки не более 4 с.
Крепление диода рекомендуется производить путем приклеивания теплопроводящим клеем или с помощью крепежного фланца. Усилие прижима 29,4…49 Н (3… 5 кгс). Не допускается крепление диодов за выводы.
Зависимость импульсного прямого тока oт импульсного напряжения
Зависимости импульсного повторяющегося прямого тока от длительности прямоугольного импульса
Зависимости импульсного повторяющегося прямого тока от длительности прямоугольного импульса
Зависимость емкости диода от напряжения
Зависимость времени обратного восстановления, от температуры
Теория это хорошо, но необходимо отрабатывать это всё практически ПОПРОБОВАТЬ МОЖНО ЗДЕСЬ