Стабилитроны кремниевые, планарные, малой мощности. Предназначены для стабилизации номинального напряжения 4,7…5,6 В в диапазоне токов стабилизации 1…10,6 мА в герметизируемых интегральных микросхемах. Бескорпусные, с гибкими выводами и защитным покрытием. Тип стабилитрона и схема соединения электродов с выводами приводятся на этикетке.
Масса стабилитрона не более 0,01 г.
Для сборки радиоэлектронного устройства можно преобрески DIY KIT набор по ссылке.
Электрические параметры
Напряжение стабилизации Uст при Iст = 3 мА: | |
2С147T-1, 2С147У-1 | 4,7 В |
2С151Т-1 | 5,1 В |
2С156Т-1, 2С156У-1 | 5,6 В |
Разброс напряжения стабилизации при IСТ = 3 мА: | |
Т = +30 ⁰С: | |
2С147T-1 | 4,4…4,9 В |
2С147У-1 | 4,2…5,2 В |
2С151Т-1 | 4,8…5,4 В |
2С156Т-1 | 5,3…5,9 В |
2С156У-1 | 5…6,2 В |
Т = -60 ⁰С: | |
2С147T-1 | 4,6…5,4 В |
2С147У-1 | 4,4…5,6 В |
2С151Т-1 | 4,8…5,8 В |
2С156Т-1 | 5…5,8 В |
2С156У-1 | 5,6…6 В |
Т = +125 ⁰С: | |
2С147T-1 | 3,9…4,8 В |
2С147У-1 | 3,7…5,1 В |
2С151Т-1 | 4,5…5,5 В |
2С156Т-1 | 5,2…6,3 В |
2С156У-1 | 4,8…6,6 В |
Температурный коэффициент напряжения стабилизации αUст при Т= -60…+125 ⁰С: | |
2С147T-1, 2С147У-1, не менее | -0,08 %/⁰С |
2С151Т-1 | -0,06…+0,03 %/⁰С |
2С156Т-1, 2С156У-1 | -0,04…+0,06 %/⁰С |
Временная нестабильность напряжения стабилизации δUст | ±1,5 % |
Постоянный обратный ток IОБР при UОБР = 0,7 UСТ и работе в режиме IСТ = 1…5 мА, не более | 300 мкА |
Дифференциальное сопротивление rст, не более: | |
при IСТ = 1 мА, Т= +25 °С: | 560 Ом |
при IСТ = 3 мА, Т= -60 и +125 °С: | |
2С147T-1, 2С147У-1 | 220 Ом |
2С151Т-1 | 180 Ом |
2С156Т-1, 2С156У-1 | 160 Ом |
при IСТ = 3 мА, Т= +125 ⁰С: | |
2С147T-1, 2С147У-1 | 240 Ом |
2С151Т-1 | 220 Ом |
2С156Т-1, 2С156У-1 | 180 Ом |
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации Iст.мин: | 1 мА |
Максимальный ток стабилизации Iст.макс при монтаже с RТ ≤ 1 °С/мВт:
В диапазоне температур окружающей среды, +35…+ 125 ⁰С значение максимального тока стабилизации снижается линейно. |
|
при Т=-60…+35 °С: | |
2С147T-1, 2С147У-1 | 10,6 мА |
2С151Т-1 | 10 мА |
2С156Т-1, 2С156У-1 | 9 мА |
при Т=+125 °С: | |
2С147T-1, 2С147У-1 | 3,75 мА |
2С151Т-1 | 3,55 мА |
2С156Т-1, 2С156У-1 | 3,15 мА |
Рассеиваемая мощность Р при монтаже с RТ ≤ 1 °С/мВт:
В диапазоне температур окружающей среды, +35…+ 125 ⁰С значение рассеиваемой мощности снижается линейно. |
|
при Т=-60…+35 °С: | 50 мВт |
при Т= +125 °С | 18 мВт |
Тепловое сопротивление переход-среда RT(П-С), не более | 3 °С/мВт |
Температура перехода ТПЕР | +150 °С |
Температура окружающей среды Т | -60…+125 °С |
В режиме стабилизации напряжения стабилитрон должен включаться полярностью, обратной указанной на этикетке.
Изгиб выводов допускается не ближе 0,3 мм от места выхода из защитного покрытия на инструменте с тупым краем. Растягивающая выводы сипа не должна превышать 0,088 Н.
Пайка (сварка) выводов допускается не ближе 2 мм до защитного покрытия. Температура кристалла и защитного покрытия при пайке (сварке) не должна превышать +125 °С.
Допускается последовательное или параллельное соединение любого числа стабилитронов.
Зависимость амплитуды тока одноразовой перегрузки от длительности импульса.
Зависимости дифференциального сопротивления от тока.
Зависимости дифференциального сопротивления от тока.
Зависимости дифференциального сопротивления от тока.
Теория это хорошо, но необходимо отрабатывать это всё практически ПОПРОБОВАТЬ МОЖНО ЗДЕСЬ