Стабилитроны кремниевые, планарные, малой мощности. Предназначены для стабилизации номинального напряжения 6,8…12 В в диапазоне токов стабилизации 0,5…3 мА в герметизируемых интегральных микросхемах. Бескорпусные, с жесткими выводами. Тип прибора и схема соединения электродов с выводами приводятся в паспорте. Катодный вывод расположен напротив ключа по диагонали, остальные выводы — анодные (основной расположен рядом с ключом, два другие — резервные).
Для сборки радиоэлектронного устройства можно преобрески DIY KIT набор по ссылке.
Масса стабилитрона не более 0,005 г.
Электрические параметры
| Напряжение стабилизации Uст при Iст = 0,5 мА: | |
| 2С168Х | 6,8 В |
| 2С175Х | 7,5 В |
| 2С182Х | 8,2 В |
| 2С191Х | 9,1 В |
| 2С210Х | 10 В |
| 2С211Х | 11 В |
| 2С212Х | 12 В |
| Разброс напряжения стабилизации при IСТ = 0,5 мА: | |
| Т = +30 ⁰С: | |
| 2С168Х | 6,5…7,1 В |
| 2С175Х | 7,1…7,9 В |
| 2С182Х | 7,8…8,6 В |
| 2С191Х | 8,6…9,6 В |
| 2С210Х | 9,5…10,5 В |
| 2С211Х | 10,4… 11,6 В |
| 2С212Х | 11,4…12,6 В |
| Т = -60 ⁰С: | |
| 2С168Х | 6,2…7,1 В |
| 2С175Х | 6,7…7,9 В |
| 2С182Х | 7,2…8,6 В |
| 2С191Х | 8…9,6 В |
| 2С210Х | 8,7… 10,5 В |
| 2С211Х | 9,5…11,6 В |
| 2С212Х | 10,4…12,6 В |
| при Т= +125 °С: | |
| 2С168Х | 6,5…7,5 В |
| 2С175Х | 7,1…8,4В |
| 2С182Х | 7,8…9,З В |
| 2С191Х | 8,6… 10,3 В |
| 2С210Х | 9,5…11,4 В |
| 2С211Х | 10,4…12,6 В |
| 2С212Х | 11,4…13,8 В |
| Температурный коэффициент напряжения стабилизации αUст при Т= -60…+125 ⁰С: | |
| 2С168Х | 0,050%/⁰С |
| 2С175Х | 0,065%/⁰С |
| 2С182Х | 0,075%/⁰С |
| 2С191Х | 0,080%/⁰С |
| 2С210Х | 0,090%/⁰С |
| 2С211Х, 2С212Х | 0,095%/⁰С |
| Временная нестабильность напряжения стабилизации δUст | ±1,5 % |
| Дифференциальное сопротивление rст при ICT = 0,5 мА, не более: | |
| Т = -60 и +25 °С | 200 Ом |
| Т = +125 °С | 300 Ом |
Предельные эксплуатационные данные
| Минимальный ток стабилизации Iст.мин: | 0,5 мА |
| Максимальный ток стабилизации Iст.макс:
В диапазонах температур окружающей среды +35…+125 ⁰С и атмосферного давления 101990…665 Па допустимое значение максимального тока стабилизации снижается линейно. |
|
| при Т= -60…+35 °С: | |
| 2С168Х | 3 мА |
| 2С175Х | 2,65 мА |
| 2С182Х | 2,5 мА |
| 2С191Х | 2,24 мА |
| 2С210Х | 2 мА |
| 2С211Х | 1,8 мА |
| 2С212Х | 1,7 мА |
| при Т= +125 °С: | |
| 2С168Х | 0,95 мА |
| 2С175Х | 0,9 мА |
| 2С182Х | 0,8 мА |
| 2С191Х | 0,71 мА |
| 2С210Х | 0,67 мА |
| 2С211Х | 0,6 мА |
| 2С212Х | 0,56 мА |
| Рассеиваемая мощность Р:
В диапазонах температур окружающей среды +35…+125 ⁰С и атмосферного давления 101990…665 Па допустимое рассеиваемой мощности снижается линейно. |
|
| при Т= -60…+35 °С | 20 мВт |
| при Т = 125 °С | 6,6 мВт |
| Тепловое сопротивление переход-среда RT(П-С), не более | 3 °С/мВт |
| Температура перехода максимальная | +150 °С |
| Температура окружающей среды Т | -60…+ 125 °C |
В режиме стабилизации напряжения стабилитрон должен быть включен полярностью, обратной указанной в паспорте. При эксплуатации стабилитронов должен быть обеспечен отвод теплоты от кристалла с RT(П-С) = 3 °С/мВт.
Прикладываемые к стабилитрону усилия не должны превышать: нормальное 0,49 Н, тангенциальное 0,049 Н.
Воздействующая на стабилитрон в процессе монтажа на плату температура не должна превышать +300 °С, а время воздействия 5 с (при распайке на контактные площадки платы). Воздействующая на смонтированный на плату стабилитрон температура не должна превышать +230 ⁰С в течение 3 мин и + 150 ⁰С в течение 2 ч.
Допускается последовательное или параллельное соединение любого числа стабилитронов.
Зависимость амплитуды тока одноразовой перегрузки от длительности импульса.
Зависимость дифференциального сопротивления от тока.
Зависимости дифференциального сопротивления от тока.
Зависимости дифференциального сопротивления от тока.
Теория это хорошо, но необходимо отрабатывать это всё практически ПОПРОБОВАТЬ МОЖНО ЗДЕСЬ